2SC897. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC897

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC897

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC897 даташит

 ..1. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc897.pdf pdf_icon

2SC897

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SC897 DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

 9.1. Size:49K  1
 2sc892.pdf pdf_icon

2SC897

 9.2. Size:185K  inchange semiconductor
 2sc898.pdf pdf_icon

2SC897

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC898 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 6A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX U

Другие транзисторы: 2SC890, 2SC891, 2SC892, 2SC893, 2SC894, 2SC895, 2SC895-1, 2SC896, 8550, 2SC897A, 2SC898, 2SC898A, 2SC899, 2SC89H, 2SC90, 2SC900, 2SC900E