Справочник транзисторов. 2SD1024

 

Биполярный транзистор 2SD1024 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1024
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD1024

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1024 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  shindengen
2sd1024.pdfpdf_icon

2SD1024

SHINDENGENDarlington TransistorOUTLINE DIMENSIONS2SD1024 Case : TO-220(T8L10)8A NPNRATINGSUnit : mm

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
2sd1024.pdfpdf_icon

2SD1024

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1024DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 1500(Min) @I = 5AFE CLow Saturation VoltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for general purpoe amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

 8.1. Size:132K  nec
2sd1020.pdfpdf_icon

2SD1024

 8.2. Size:31K  jmnic
2sd1026.pdfpdf_icon

2SD1024

Product Specification www.jmnic.com2SD1026 Silicon NPN Transistors Features B C E With TO-247 package Darlington transistor Absolute Maximum Ratings Tc=25 SYMBOL PARAMETER RATING UNITVCBO Collector to base voltage 100 V VCEO Collector to emitter voltage 100 V VEBO Emitter to base voltage 7 V IB Base current 1 A IC Collector current 15 A PC Collector power di

Другие транзисторы... 2SD1020O , 2SD1020Y , 2SD1021 , 2SD1021G , 2SD1021O , 2SD1021Y , 2SD1022 , 2SD1023 , D965 , 2SD1025 , 2SD1026 , 2SD1027 , 2SD1029 , 2SD103 , 2SD1030 , 2SD1031 , 2SD1032 .

History: A1266 | BD13716S

 

 
Back to Top

 


 
.