Справочник транзисторов. 2SD1059

 

Биполярный транзистор 2SD1059 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD1059
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 85 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD1059

 

 

2SD1059 Datasheet (PDF)

 8.2. Size:113K  toshiba
2sd1052a.pdf

2SD1059
2SD1059

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.3. Size:124K  rohm
2sd1055 2sd1766.pdf

2SD1059
2SD1059

TransistorsMedium Power Transistor (32V, 2A)2SD1766 / 2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1055 /2SD1919 / 2SD1227MFFeatures FExternal dimensions (Units: mm)1) Low VCE(sat).VCE(sat) = 0.5V (Typ.)(IC / IB = 2A / 0.2A)2) Complements the2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /2SB891F / 2SB822 / 2SB1277 /2SB911MFStructureEpitaxial planar typeNPN silicon transistor(96-217-B24)2562SD1766 /

 8.4. Size:44K  panasonic
2sd1051 e.pdf

2SD1059
2SD1059

Transistor2SD1051Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmComplementary to 2SB8196.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0R0.9FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Large collector power dissipation PC.M type package allowing easy automatic and manual insertion aswell as stand-alone fixing to the printed circuit board.0.850.5

 8.5. Size:40K  panasonic
2sd1051.pdf

2SD1059
2SD1059

Transistor2SD1051Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency power amplificationUnit: mmComplementary to 2SB8196.9 0.1 2.5 0.11.51.5 R0.9 1.0R0.9FeaturesHigh collector to emitter voltage VCEO.Large collector power dissipation PC.M type package allowing easy automatic and manual insertion aswell as stand-alone fixing to the printed circuit board.0.850.5

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top