2SD1062Q - описание и поиск аналогов

 

2SD1062Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1062Q

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD1062Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1062Q даташит

 7.1. Size:104K  sanyo
 2sd1062.pdf pdf_icon

2SD1062Q

 7.2. Size:55K  jmnic
 2sd1062.pdf pdf_icon

2SD1062Q

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1062 DESCRIPTION With TO-220 package Low collector saturation voltage Complement to type 2SB826 Wide area of safe operation APPLICATIONS Relay drivers, High-speed inverters, Converters General high-current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to

 7.3. Size:219K  inchange semiconductor
 2sd1062.pdf pdf_icon

2SD1062Q

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD1062 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = 0.4V(Max)@ I =6A CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB826 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching app

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1060Q, 2SD1060R, 2SD1060S, 2SD1061, 2SD1061Q, 2SD1061R, 2SD1061S, 2SD1062, TIP31C, 2SD1062R, 2SD1062S, 2SD1063, 2SD1063Q, 2SD1063R, 2SD1063S, 2SD1064, 2SD1064Q

 

 

 

 

↑ Back to Top
.