Биполярный транзистор 2SD1062Q - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1062Q
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
Корпус транзистора: TO220
2SD1062Q Datasheet (PDF)
2sd1062.pdf
Ordering number:723HPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB826/2SD106250V/12A Switching ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, high-speed inverters, converters, andunit:mmother general high-current switching applications.2010C[2SB826/2SD1062]Features Low-saturation collector-to-emitter voltage :VCE(sat)=0.5V (PNP), 0.4V (NPN) max.
2sd1062.pdf
Product Specification www.jmnic.comSilicon NPN Power Transistors 2SD1062 DESCRIPTION With TO-220 package Low collector saturation voltage Complement to type 2SB826 Wide area of safe operation APPLICATIONS Relay drivers, High-speed inverters, Converters General high-current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to
2sd1062.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD1062DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage: V = 0.4V(Max)@ I =6ACE(sat) CWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SB826Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers, high-speed inverters, converters,and other general high-current switching app
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
