2SD1084 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SD1084 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SD1084
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: SPECIAL

 Аналоги (замена) для 2SD1084

 

2SD1084 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:111K  mospec
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD1084

A A A

 8.2. Size:56K  no
 2sd1083.pdf pdf_icon

2SD1084

 8.3. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd108.pdf pdf_icon

2SD1084

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108 DESCRIPTION High DC current gain- h = 2000 (Min) @ I = 1A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V =80V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulator Audio amplifi

 8.4. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD1084

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 2000(Min.)@I = 2A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1080S , 2SD1081 , 2SD1081L , 2SD1081S , 2SD1082 , 2SD1083 , 2SD1083L , 2SD1083S , NJW0281G , 2SD1085 , 2SD1085K , 2SD1087 , 2SD1088 , 2SD1089 , 2SD1090 , 2SD1091 , 2SD1092 .

 

 
Back to Top

 


 
.