2SD1109 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1109  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SPECIAL

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1109

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1109 даташит

 8.1. Size:24K  hitachi
 2sd1101.pdf pdf_icon

2SD1109

2SD1101 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency amplifier Complementary pair with 2SB831 Outline MPAK 3 1 1. Emitter 2. Base 2 3. Collector 2SD1101 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 25 V Collector to emitter voltage VCEO 20 V Emitter to base voltage VEBO 5V Collector current IC 0.7 A Collector peak

 8.2. Size:326K  kexin
 2sd1101.pdf pdf_icon

2SD1109

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1101 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=0.7A 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=20V +0.1 0.95-0.1 0.1+0.05 -0.01 Complement to 2SB831 +0.1 1.9-0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base

 8.3. Size:213K  inchange semiconductor
 2sd110.pdf pdf_icon

2SD1109

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD110 DESCRIPTIONV High Power Dissipation- P = 100W@T = 25 C C High Current Capability- I = 10A C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier , power switching ,DC-DC converter and regulator applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR

 8.4. Size:207K  inchange semiconductor
 2sd1105.pdf pdf_icon

2SD1109

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1105 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V (Min) (BR)CEO Wide Area of Safe Operation High Power and High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power AF amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1101B, 2SD1101C, 2SD1102, 2SD1103, 2SD1104, 2SD1105, 2SD1106, 2SD1107, BC547, 2SD1109A, 2SD111, 2SD1110, 2SD1110A, 2SD1111, 2SD1112, 2SD1113, 2SD1113K