Справочник транзисторов. 2SD1187Y

 

Биполярный транзистор 2SD1187Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1187Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 350 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO247
 

 Аналог (замена) для 2SD1187Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1187Y Datasheet (PDF)

 7.1. Size:227K  toshiba
 2sd1187.pdf pdf_icon

2SD1187Y

 7.2. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd1187.pdf pdf_icon

2SD1187Y

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1187DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFECollector-Emitter Saturation Voltage-: V = 0.5V(Max.)@ I = 6.0ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh power switching applicationsDC-DC

 8.1. Size:505K  1
 2sd1766 2sd1758 2sd1862 2sd1189f 2sd1055 2sd1919 2sd1227m.pdf pdf_icon

2SD1187Y

 8.2. Size:135K  rohm
 2sd1189.pdf pdf_icon

2SD1187Y

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1181 , 2SD1182 , 2SD1183 , 2SD1184 , 2SD1185 , 2SD1186 , 2SD1187 , 2SD1187O , 13009 , 2SD1188 , 2SD1189 , 2SD119 , 2SD1190 , 2SD1191 , 2SD1192 , 2SD1193 , 2SD1194 .

History: 2SD1299 | 2SD1212Q

 

 
Back to Top

 


 
.