Справочник транзисторов. 2SD1356O

 

Биполярный транзистор 2SD1356O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1356O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70

Корпус транзистора: TO220

Аналоги (замена) для 2SD1356O

 

 

2SD1356O Datasheet (PDF)

4.1. 2sd1350.pdf Size:39K _panasonic

2SD1356O
2SD1356O

Transistor 2SD1350, 2SD1350A Silicon NPN triple diffusion planer type For high breakdown voltage switching Unit: mm Features High collector to base voltage VCBO. 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 High collector to emitter voltage VCEO. 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Large collector power dissipation PC. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). M type package allowing easy automatic and manual i

4.2. 2sd1350 e.pdf Size:43K _panasonic

2SD1356O
2SD1356O

Transistor 2SD1350, 2SD1350A Silicon NPN triple diffusion planer type For high breakdown voltage switching Unit: mm Features High collector to base voltage VCBO. 6.9 0.1 2.5 0.1 1.5 High collector to emitter voltage VCEO. 1.5 R0.9 1.0 R0.9 Large collector power dissipation PC. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). M type package allowing easy automatic and manual i

 4.3. 2sd1352.pdf Size:140K _inchange_semiconductor

2SD1356O
2SD1356O

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1352 DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80(Min) ·Good Linearity of hFE ·Complement to Type 2SB989 APPLICATIONS ·Designed for general purpose application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25?) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 80 V VCEO Collector-

4.4. 2sd1351.pdf Size:64K _inchange_semiconductor

2SD1356O
2SD1356O

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD1351 DESCRIPTION · ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB988 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For general purpose application PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 Emitter Absolute maximum ratings (Ta=25?) SYMBOL PARAMETER CONDITION

Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , BC547C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .

 

 
Back to Top

 


2SD1356O
  2SD1356O
  2SD1356O
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 | 3DD209L | XP6111 | STC8050N | CHT847BWPT | 3DD4204D | 2SC6092LS |

 

 

 

 

Back to Top