2SD1409R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1409R

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO220F

 Аналоги (замена) для 2SD1409R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1409R даташит

 7.1. Size:212K  toshiba
2sd1409a.pdfpdf_icon

2SD1409R

 7.2. Size:71K  wingshing
2sd1409.pdfpdf_icon

2SD1409R

2SD1409 SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTOR GENERAL DESCRIPTION Darington transistor are designed for use as general purpose amplifiers, switching and motor control applications. QUICK REFERENCE DATA TO-220F SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN MAX UNIT Collector-emitter voltage peak value VBE = 0V VCESM - 600 V Collector-emitter voltage (open base) VCEO - 400 V Collector current (DC) I

 7.3. Size:105K  jmnic
2sd1409.pdfpdf_icon

2SD1409R

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD1409 DESCRIPTION With TO-220F package High DC current gain Monolithic construction with built-in base-emitter shunt resistor APPLICATIONS Igniter applications High volitage switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and sym

 7.4. Size:191K  inchange semiconductor
2sd1409a.pdfpdf_icon

2SD1409R

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1409A DESCRIPTION High collector-emitter breakdown voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High DC current Gain h = 600(Min) @ I = 2A, V = 2V FE C CE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Igniter applications High voltage swi

Другие транзисторы: 2SD1407R, 2SD1407Y, 2SD1408, 2SD1408O, 2SD1408R, 2SD1408Y, 2SD1409, 2SD1409O, B647, 2SD1409Y, 2SD141, 2SD1410, 2SD1411, 2SD1411O, 2SD1411Y, 2SD1412, 2SD1412O