2SD1422. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1422

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SD1422

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1422 даташит

 8.1. Size:49K  toshiba
2sd1429.pdfpdf_icon

2SD1422

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.2. Size:116K  toshiba
2sd1428.pdfpdf_icon

2SD1422

This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

 8.3. Size:37K  panasonic
2sd1424.pdfpdf_icon

2SD1422

Transistor 2SD1424 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm 4.0 0.2 Features Optimum for high-density mounting. Allowing supply with the radial taping. High foward current transfer ratio hFE. marking Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) 1 2 3 Parameter Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 50 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltag

 8.4. Size:41K  panasonic
2sd1423 e.pdfpdf_icon

2SD1422

Transistor 2SD1423, 2SD1423A Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm Complementary to 2SB1030 and 2SB1030A 4.0 0.2 Features Optimum for high-density mounting. Allowing supply with the radial taping. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit marking Collector to 2SD1423 30 VCBO V 1 2 3 base voltage 2SD1423A 60 Collector

Другие транзисторы: 2SD1415, 2SD1416, 2SD1417, 2SD1418, 2SD1419, 2SD142, 2SD1420, 2SD1421, BC337, 2SD1423, 2SD1423A, 2SD1424, 2SD1425, 2SD1426, 2SD1427, 2SD1428, 2SD1429