Справочник транзисторов. 2SD1460

 

Биполярный транзистор 2SD1460 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2SD1460

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 3000

Корпус транзистора: TO3

Аналоги (замена) для 2SD1460

 

 

2SD1460 Datasheet (PDF)

4.1. 2sd1468.pdf Size:47K _rohm

2SD1460
2SD1460

2SD1834 Transistors Transistors 2SD1468S / 2SD1865 (94S-340-D64) (94L-767-D65) 311 Appendix Notes No technical content pages of this document may be reproduced in any form or transmitted by any means without prior permission of ROHM CO.,LTD. The contents described herein are subject to change without notice. The specifications for the product described in this document are for refer

4.2. 2sd1468s.pdf Size:47K _secos

2SD1460

2SD1468S 1A , 30V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free FEATURES TO-92S Low Saturation Voltage Ideal for Voltage, High Current Drives. High DC Current Gain and High Current Millimeter REF. Min. Max. A 3.90 4.10 B 3.05 3.25 CLASSIFICATION OF hFE C 1.42 1.62 D 15.1

 4.3. 2sd1468.pdf Size:60K _secos

2SD1460

2SD1468 1A , 30V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Low Saturation Voltage Ideal for Low Voltage, High Current Dribes High DC Current Gain and High Current Millimeter REF. Min. Max. A 4.40 4.70 B 4.30 4.70 C 12.70 - CLASSIFICATION OF hFE D 3.30

4.4. 2sd1468s.pdf Size:226K _lge

2SD1460
2SD1460

2SD1468S TO-92S Transistor (NPN) 1. EMITTER TO-92S 2. COLLECTOR 1 2 3 3. BASE Features Low saturation voltage, typically Vce(sat)=0.006V Ideal for voltage, high current drives, High DC current gain and high current MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 30 V VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VEBO

 4.5. 2sd1468.pdf Size:236K _lge

2SD1460
2SD1460

2SD1468(NPN) TO-92 Bipolar Transistors TO-92 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE Features Low saturation voltage Ideal for low voltage, high current dribes High DC current gain and high current MAXIMUM RATINGS (TA=25? unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO 30 V Collector-Base Voltage Dimensions in inches and (millimeters) VCEO 15 V Collector-Emitte

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top

 


2SD1460
  2SD1460
  2SD1460
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top