Биполярный транзистор 2N2270 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2270
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO5
2N2270 Datasheet (PDF)
2n2270.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2270TO-39Metal Can PackageAmplifier TransistorABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCEOCollector Emitter Voltage 45 VCollector Emitter Voltage, RBE
2n2270al.pdf
2N2270ALDimensions in mm (inches). 8.51 (0.34)9.40 (0.37)Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305)8.51 (0.335)Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240)6.60 (0.260)0.89 (0.035)max.38.00 Bipolar NPN Device. (1.5)0.41 (0.016)min.0.53 (0.021)dia.VCEO = 45V 5.08 (0.200)IC = 1.0A typ.2.54All Semelab hermetically sealed products 2(0.100)1 3 ca
Другие транзисторы... 2N2258 , 2N2259 , 2N226 , 2N2266 , 2N2267 , 2N2268 , 2N2269 , 2N227 , A940 , 2N2270L , 2N2270S , 2N2271 , 2N2272 , 2N2273 , 2N2274 , 2N2275 , 2N2276 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050