2N2270 Todos los transistores

 

2N2270 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N2270
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 45 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 60 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
   Paquete / Cubierta: TO5

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2N2270 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  rca
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 ..2. Size:366K  no
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 ..3. Size:224K  cdil
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2N2270

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR 2N2270 TO-39 Metal Can Package Amplifier Transistor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector Emitter Voltage 45 V Collector Emitter Voltage, RBE

 0.1. Size:10K  semelab
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2N2270

2N2270AL Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) Bipolar NPN Device in a 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Hermetically sealed TO5 Metal Package. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 0.89 (0.035)max. 38.00 Bipolar NPN Device. (1.5) 0.41 (0.016) min. 0.53 (0.021) dia. VCEO = 45V 5.08 (0.200) IC = 1.0A typ. 2.54 All Semelab hermetically sealed products 2 (0.100) 1 3 ca

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History: 2SC2999 | KTN2369AS | 2SD1577

 

 
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