2SD1615A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1615A  📄📄 

Маркировка: GP_GQ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 160 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1615A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1615A даташит

 ..1. Size:52K  nec
 2sd1615a.pdf pdf_icon

2SD1615A

DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SD1615, 2SD1615A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES PACKAGE DIMENSIONS World Standard Miniature Package in millimeters Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V Complement to 2SB111

 ..2. Size:1224K  kexin
 2sd1615a.pdf pdf_icon

2SD1615A

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1615A 1.70 0.1 Features Low VCE(sat) Complementary to 2SB1115A 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 120 Collector - Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter - Base Voltage VEBO 6 Collector Current - Continuous IC 1 A

 7.1. Size:49K  nec
 2sd1615.pdf pdf_icon

2SD1615A

DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SD1615, 2SD1615A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORS POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES PACKAGE DIMENSIONS World Standard Miniature Package in millimeters Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V Complement to 2SB111

 7.2. Size:1176K  kexin
 2sd1615.pdf pdf_icon

2SD1615A

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1615 1.70 0.1 Features Low VCE(sat) Complementary to 2SB1115 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 60 Collector - Emitter Voltage VCEO 50 V Emitter - Base Voltage VEBO 6 Collector Current - Continuous IC 1 A Col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1610B, 2SD1610C, 2SD1610D, 2SD1611, 2SD1612, 2SD1613, 2SD1614, 2SD1615, S8550, 2SD1616, 2SD1616A, 2SD1616AG, 2SD1616AL, 2SD1616AY, 2SD1616G, 2SD1616L, 2SD1616Y