2SD1616AY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1616AY  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 19 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 135

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2SD1616AY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1616AY даташит

 6.1. Size:98K  nec
 2sd1616a.pdf pdf_icon

2SD1616AY

DATA SHEET SILICON TRANSISTORS 2SD1616, 2SD1616A NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Low VCE(sat) VCE(sat) = 0.15 V TYP. (IC = 1.0 A, IB = 50 mA) Large PT in small dimension with versatility PT = 0.75 W, VCEO = 50/60 V, IC(DC) = 1.0 A Complementary transistor with the 2SB1116 and 1

 6.2. Size:282K  utc
 2sd1616 2sd1616a.pdf pdf_icon

2SD1616AY

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1616/A NPN SILICON TRANSISTOR NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 1 1 SOT-223 SOT-89 DESCRIPTION * Audio frequency power amplifier * Medium speed switching 1 SIP-3 1 1 TO-92 TO-92SP ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Plating Halogen-Free 1 2 3 2SD1616L-x-AA3-B 2SD1616G-x-AA3-B SOT-22

 6.3. Size:341K  secos
 2sd1616a.pdf pdf_icon

2SD1616AY

2SD1616A 1A , 120V NPN Plastic-Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free TO-92 FEATURES Power dissipation A D Millimeter REF. Min. Max. B A 4.40 4.70 CLASSIFICATION OF hFE (1) B 4.30 4.70 C 12.70 - D 3.30 3.81 Product-Rank 2SD1616A-L 2SD1616A-K 2SD1616A-U E 0.36 0.56 F 0.36 0.51

 6.4. Size:758K  jiangsu
 2sd1616a.pdf pdf_icon

2SD1616AY

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TO-92 1. EMITTER 2SD1616A TRANSISTOR (NPN) 2. COLLECTOR FEATURE 3. BSAE Power dissipation MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 120 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1613, 2SD1614, 2SD1615, 2SD1615A, 2SD1616, 2SD1616A, 2SD1616AG, 2SD1616AL, A1013, 2SD1616G, 2SD1616L, 2SD1616Y, 2SD1617, 2SD1618, 2SD1618E, 2SD1618S, 2SD1618U