2SD1635 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1635  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD1635

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1635 даташит

 8.1. Size:161K  toshiba
2sd1631.pdfpdf_icon

2SD1635

2SD1631 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Darlington power transistor) 2SD1631 Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Unit mm Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain hFE = 4000 (min) (V = 2 V, I = 150 mA) CE C Low saturation voltage V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA) CE (sat) C B Maximum Ratings (

 8.2. Size:125K  nec
2sd1630.pdfpdf_icon

2SD1635

 8.3. Size:44K  rohm
2sd1638.pdfpdf_icon

2SD1635

 8.4. Size:47K  rohm
2sd1637.pdfpdf_icon

2SD1635

Другие транзисторы: 2SD1628G, 2SD1629, 2SD163, 2SD1630, 2SD1631, 2SD1632, 2SD1633, 2SD1634, BC548, 2SD1636, 2SD1637, 2SD1638, 2SD1639, 2SD164, 2SD1640, 2SD1641, 2SD1642