2SD167 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD167  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD167

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD167 даташит

 0.1. Size:56K  panasonic
 2sd1679 e.pdf pdf_icon

2SD167

Transistor 2SD1679 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency output amplification Unit mm +0.2 2.8 0.3 +0.25 Features 0.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 18V zener diode is built in between collector and base. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 1 High foward current transfer ratio hFE. Mini type package, allowing downsizing of the equipment and 3

 0.2. Size:34K  no
 2sd1672.pdf pdf_icon

2SD167

 0.3. Size:219K  inchange semiconductor
 2sd1670.pdf pdf_icon

2SD167

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1670 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain- h = 1000( Min.) @ I = 10A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 10A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For low speed high current s

 0.4. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd1673.pdf pdf_icon

2SD167

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1673 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High DC Current Gain- h = 1000( Min.) @ I = 7A FE C Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS For lo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1668, 2SD1668Q, 2SD1668R, 2SD1668S, 2SD1669, 2SD1669Q, 2SD1669R, 2SD1669S, A1013, 2SD1670, 2SD1671, 2SD1672, 2SD1673, 2SD1676, 2SD1677, 2SD1678, 2SD1679