2SD1682 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SD1682 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: ISO126
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SD1682
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD1682 даташит
2sd1682.pdf
Ordering number 2060A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1142/2SD1682 50V/2.5A High-Speed Switching Applications Applications Package Dimensions Power supplies, relay drivers, lamp drivers. unit mm 2042A Features [2SB1142/2SD1682] Adoption of FBET, MBIT processes. Low saturation voltage. Large current capacity and wide ASO. B Base C Collector ( )
2sd1683.pdf
Ordering number 2063A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1143/2SD1683 50V/4A Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2042A [2SB1143/2SD1683] Features Adoption of FBET, MBIT processes. Low saturation voltage. Large current capacity and wide ASO. B Base C C
2sb1143 2sd1683.pdf
Ordering number ENN2063A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1143/2SD1683 50V/4A Switching Applications Applications Package Dimensions Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, unit mm electrical equipment. 2042B [2SB1143/2SD1683] Features 8.0 4.0 3.3 Adoption of FBET, MBIT processes. 1.0 1.0 Low saturation voltage. Large current capacity and
2sd1684.pdf
Ordering number 2041A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SB1144/2SD1684 100V/1.5A Switching Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET and MBIT processes. unit mm High breakdown voltage. 2042B Low saturation voltage. [2SB1144/2SD1684] Plastic-covered heat sink facilitating high-density mounting. 1 Emitter 2 Collector 3 Base ( ) 2
Другие транзисторы: 2SD1679, 2SD168, 2SD1680, 2SD1681, 2SD1681Q, 2SD1681R, 2SD1681S, 2SD1681T, 2SA1015, 2SD1682R, 2SD1682S, 2SD1682T, 2SD1682U, 2SD1683, 2SD1683R, 2SD1683S, 2SD1683T
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sc1116 | 2n3565 equivalent | 10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315






