2SD1691O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1691O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1691O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1691O даташит

 7.1. Size:114K  nec
 2sd1691.pdf pdf_icon

2SD1691O

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SD1691 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCEY POWER AMPLIFIERS AND MID-SPEED SWITCHING FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Large current capacity and low VCE(sat) IC(DC) = 5.0 A, IC(pulse) = 8.0 A VCE(sat) = 0.1 V TYP. (@IC = 2.0 A, IB = 0.2 A) Large power dissipation TO-126 type power transistor PT = 1.3 W (@Ta = 25

 7.2. Size:275K  utc
 2sd1691.pdf pdf_icon

2SD1691O

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SD1691 NPN SILICON TRANSISTOR LOW COLLECTOR SATURATION VOLTAGE 1 1 LARGE CURRENT TO-220F1 TO-220 FEATURES *High Power Dissipation 1 1 *Complementary to 2SB1151 TO-251 TO-252 1 1 TO-126C TO-126 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Plating Halogen Free 1 2 3 2SD1691L-x-TA3-T 2SD1691

 7.3. Size:350K  semtech
 st2sd1691t.pdf pdf_icon

2SD1691O

ST 2SD1691T NPN Silicon Epitaxial Power Transistor For Low-Frequencey Power Amplifiers and Mid-Speed Switching The transistor is subdivided into three groups, M, L and K, according to its DC-DC current gain. E C B TO-126 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Symbol Value Unit Parameter VCBO 60 V Collector to Base Voltage VCEO 60 V Collector to Emitter

 7.4. Size:210K  inchange semiconductor
 2sd1691.pdf pdf_icon

2SD1691O

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1691 DESCRIPTION High Collector Current -I = 5A C Low Collector Saturation Voltage V = 0.3V(Max.)@ I = 2A CE(sat) C Complement to Type 2SB1151 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter, or driver of solenoid or motor. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1685F, 2SD1685G, 2SD1686, 2SD1687, 2SD1688, 2SD1689, 2SD1690, 2SD1691, 2SC5200, 2SD1691Q, 2SD1691Y, 2SD1692, 2SD1692G, 2SD1692O, 2SD1692Y, 2SD1693, 2SD1694