2SD1700 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1700  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4000

Корпус транзистора: SP8

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD1700

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1700 даташит

 ..1. Size:118K  1
 2sd1700.pdf pdf_icon

2SD1700

 8.1. Size:197K  nec
 2sd1702.pdf pdf_icon

2SD1700

 8.2. Size:60K  nec
 2sd1701.pdf pdf_icon

2SD1700

 8.3. Size:93K  panasonic
 2sd1707.pdf pdf_icon

2SD1700

Power Transistors 2SD1707 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For power switching 15.0 0.3 5.0 0.2 11.0 0.2 (3.2) Complementary to 2SB1156 Features 3.2 0.1 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Large collector current IC 2.0 0.2 2.0 0.1 Full-pack package which can be install

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1694, 2SD1695, 2SD1696, 2SD1697, 2SD1698, 2SD1699, 2SD17, 2SD170, TIP122, 2SD1701, 2SD1702, 2SD1703, 2SD1704, 2SD1705, 2SD1706, 2SD1707, 2SD1708