2SD170A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD170A  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD170A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD170A даташит

 8.1. Size:118K  1
 2sd1700.pdf pdf_icon

2SD170A

 8.2. Size:197K  nec
 2sd1702.pdf pdf_icon

2SD170A

 8.3. Size:60K  nec
 2sd1701.pdf pdf_icon

2SD170A

 8.4. Size:93K  panasonic
 2sd1707.pdf pdf_icon

2SD170A

Power Transistors 2SD1707 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For power switching 15.0 0.3 5.0 0.2 11.0 0.2 (3.2) Complementary to 2SB1156 Features 3.2 0.1 Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE Large collector current IC 2.0 0.2 2.0 0.1 Full-pack package which can be install

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1702, 2SD1703, 2SD1704, 2SD1705, 2SD1706, 2SD1707, 2SD1708, 2SD1709, A1941, 2SD171, 2SD1710, 2SD1711, 2SD171-1, 2SD1712, 2SD171-2, 2SD1713, 2SD1714