2SD1926 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1926  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для 2SD1926

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1926 даташит

 8.1. Size:44K  1
 2sd189x 2sd190x 2sd191x 2sd192x 2sd193x 2sd194x.pdf pdf_icon

2SD1926

 8.2. Size:342K  1
 2sd1787 2sd1921.pdf pdf_icon

2SD1926

 8.3. Size:269K  1
 2sd1469 2sd1920.pdf pdf_icon

2SD1926

 8.4. Size:33K  hitachi
 2sd1922.pdf pdf_icon

2SD1926

2SD1922 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier Outline TO-92MOD 2 3 ID 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SD1922 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 25 V Collector to emitter voltage VCEO 25 V Emitter to base voltage VEBO 6V Collector current IC 0.8 A Collector peak current ic (peak)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1919, 2SD192, 2SD1920, 2SD1921, 2SD1922, 2SD1923, 2SD1924, 2SD1925, 8550, 2SD1927, 2SD1928, 2SD1929, 2SD193, 2SD1930, 2SD1931, 2SD1932, 2SD1933