2SD1926 Todos los transistores

 

2SD1926 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD1926
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 5000
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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2SD1926 Datasheet (PDF)

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2SD1926

2SD1922Silicon NPN EpitaxialApplicationLow frequency power amplifierOutlineTO-92MOD23ID1. Emitter2. Collector3. Base13212SD1922Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)Item Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 25 VCollector to emitter voltage VCEO 25 VEmitter to base voltage VEBO 6VCollector current IC 0.8 ACollector peak current ic (peak)

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History: 2SC2690O | BDX14 | ET405 | 2N4306 | DTB216 | 2N1618-1 | 2SA210

 

 
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