2SD1926 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SD1926 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 200 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 5000
Encapsulados: TO126
📄📄 Copiar
Búsqueda de reemplazo de 2SD1926
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
2SD1926 datasheet
2sd1922.pdf
2SD1922 Silicon NPN Epitaxial Application Low frequency power amplifier Outline TO-92MOD 2 3 ID 1. Emitter 2. Collector 3. Base 1 3 2 1 2SD1922 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Item Symbol Ratings Unit Collector to base voltage VCBO 25 V Collector to emitter voltage VCEO 25 V Emitter to base voltage VEBO 6V Collector current IC 0.8 A Collector peak current ic (peak)
Otros transistores... 2SD1919, 2SD192, 2SD1920, 2SD1921, 2SD1922, 2SD1923, 2SD1924, 2SD1925, 8550, 2SD1927, 2SD1928, 2SD1929, 2SD193, 2SD1930, 2SD1931, 2SD1932, 2SD1933
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: DNLS160 | KRC653E | BUT230V | BFV81A
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent




