2SD1941 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD1941

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 650 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SD1941

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1941 даташит

 ..1. Size:215K  inchange semiconductor
2sd1941.pdfpdf_icon

2SD1941

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD1941 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- V = 1500V (Min) CBO High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for CTV/character display horizontal deflection output stage applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

 8.2. Size:231K  toshiba
2sd1947a.pdfpdf_icon

2SD1941

 8.3. Size:221K  toshiba
2sd1947.pdfpdf_icon

2SD1941

Другие транзисторы: 2SD1938, 2SD1939, 2SD194, 2SD1940, 2SD1940D, 2SD1940E, 2SD1940F, 2SD1940G, MPSA42, 2SD1942, 2SD1943, 2SD1944, 2SD1945, 2SD1946, 2SD1947, 2SD1947A, 2SD1948