Биполярный транзистор 2SD2232 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2232
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5000
Корпус транзистора: TO220
2SD2232 Datasheet (PDF)
2sd2232.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2232DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 300V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain: h = 3000(Min) @ I = 5A, V = 2VFE C CEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSIgniter applicationsHigh voltage switching applicationsABSOL
2sd2230.pdf
DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SD2230NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORFOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERSThe 2SD2230 is an element realizing ultra low VCE(sat). This PACKAGE DRAWING (UNIT: mm)transistor is ideal for muting such as stereo recorders, VCRs,and TVs.FEATURES Low VCE(sat):VCE(sat)1 = 33 mV TYP. @IC = 100 mA, IB = 10 mAVCE(sat)2 = 150 mV TYP. @IC = 500 mA,
2sd2230.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD2230SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features Collector Current Capability IC=500mA1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=16V+0.1+0.050.95-0.1 0.1-0.01+0.11.9-0.11.Base2.Emitter3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 16 Collec
2sd2237.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2237 DESCRIPTION High DC Current Gain- : hFE = 2000(Min)@ IC= 2A Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat) = 2.0V(Max.) @IC= 5A Complement to Type 2SB1478 APPLICATIONS Designed for power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PAR
2sd2236.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SD2236 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 100V(Min.) Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SB1477 APPLICATIONS Designed for driver and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25) SYMBOL PARAMETER VALUE UNITVCBO Collector-Base
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050