2SD2342 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SD2342 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD2342 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO3P

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SD2342

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SD2342 даташит

8.1. Size:38K panasonic
2sd2345.pdf pdf_icon

Transistor 2SD2345 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm 1.6 0.15 0.4 0.8 0.1 0.4 Features High foward current transfer ratio hFE. 1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). High emitter to base voltage VEBO. 3 Low noise voltage NV. 2 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit 0.2 0.1 Collector to b

8.2. Size:42K panasonic
2sd2345 e.pdf pdf_icon