2SD2344 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD2344  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO220FM

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD2344

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2344 даташит

 8.1. Size:38K  panasonic
2sd2345.pdfpdf_icon

2SD2344

Transistor 2SD2345 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm 1.6 0.15 0.4 0.8 0.1 0.4 Features High foward current transfer ratio hFE. 1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). High emitter to base voltage VEBO. 3 Low noise voltage NV. 2 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit 0.2 0.1 Collector to b

 8.2. Size:42K  panasonic
2sd2345 e.pdfpdf_icon

2SD2344

Transistor 2SD2345 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency amplification Unit mm 1.6 0.15 0.4 0.8 0.1 0.4 Features High foward current transfer ratio hFE. 1 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). High emitter to base voltage VEBO. 3 Low noise voltage NV. 2 Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit 0.2 0.1 Collector to b

 8.3. Size:143K  no
2sd2348.pdfpdf_icon

2SD2344

 8.4. Size:47K  no
2sd2349.pdfpdf_icon

2SD2344

Другие транзисторы: 2SD232F, 2SD2337, 2SD2337B, 2SD2337C, 2SD234, 2SD2342, 2SD2342B, 2SD2342C, 2SD1047, 2SD2348, 2SD2349, 2SD234G, 2SD234O, 2SD234R, 2SD234Y, 2SD235, 2SD2352