Биполярный транзистор 2SD2401P Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SD2401P
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 95 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6500
Корпус транзистора: MT200
Аналог (замена) для 2SD2401P
2SD2401P Datasheet (PDF)
2sd2401.pdf

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SD2401 DESCRIPTION With MT-200 package Complement to type 2SB1570 DARLINGTON APPLICATIONS Audio, Series Regulator and General Purpose PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterFig.1 simplified outline (MT-200) and symbol Absolute maximum r
2sd2401.pdf

Equivalent circuit CBDarlington 2SD2401(70)ESilicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SB1570)Application : Audio, Series Regulator and General PurposeExternal Dimensions MT-200 Absolute maximum ratings (Ta=25C) Electrical Characteristics (Ta=25C)Symbol 2SD2401 Symbol Conditions 2SD2401 UnitUnit0.26.00.336.4VCBO 160 ICBO VCB=160V
2sd2401.pdf

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2401DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 150V(Min)(BR)CEOHigh DC Current Gain-: h = 5000( Min.) @(I = 7A, V = 4V)FE C CELow Collector Saturation Voltage-: V = 2.5V(Max)@ (I = 7A, I = 7mA)CE(sat) C BComplement to Type 2SB1570Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable op
Другие транзисторы... 2SD2389O , 2SD2389P , 2SD2389Y , 2SD2390O , 2SD2390P , 2SD2390Y , 2SD24 , 2SD2401O , C3198 , 2SD2401Y , 2SD241 , 2SD242 , 2SD243 , 2SD2438O , 2SD2438P , 2SD2438Y , 2SD2439O .
History: CDT1319
History: CDT1319



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip41c datasheet | mje15032 | tip32c datasheet | mje15032g | irf1404 | bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor