Справочник транзисторов. 2SD24Y

 

Биполярный транзистор 2SD24Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD24Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 6.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 24 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: TO66
 

 Аналог (замена) для 2SD24Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD24Y Datasheet (PDF)

 9.1. Size:188K  toshiba
2sd2440.pdfpdf_icon

2SD24Y

2SD2440 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2440 Switching Application Unit: mm High breakdown voltage: VCBO = 100 V : V = 18 V EBO Low saturation voltage: V = 1.2 V (max) (I = 5 A, I = 1 A) CE (sat) C B High speed: t = 1 s (typ.) (I = 5 A, I = 0.5 A) f C B High DC current gain: h = 200 (min) (V = 5 V, I = 0.5 A) FE CE CMaximum Ra

 9.2. Size:268K  toshiba
2sd2499.pdfpdf_icon

2SD24Y

2SD2499 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SD2499 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR COLOR TV Unit: mm High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 5 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.3 s (Typ.) f Bult-in Damper Type Collector Metal (Fin) is Fully Covered with Mold Resin. MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL

 9.3. Size:183K  toshiba
2sd2461.pdfpdf_icon

2SD24Y

2SD2461 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SD2461 Power Amplifier Applications Unit: mm High DC current gain: hFE (1) = 800 to 3200 (V = 5 V, I = 0.1 A) CE C Low saturation voltage: V = 0.3 V (typ.) (I = 0.5 A, I = 5 mA) CE (sat) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 60 VCollector-emitter v

 9.4. Size:167K  toshiba
2sd2481.pdfpdf_icon

2SD24Y

2SD2481 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SD2481 Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications Unit: mm Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain: hFE = 4000 (min) (V = 2 V, I = 150 mA) CE C Low saturation voltage: V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA) CE (sat) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics

Другие транзисторы... 2SD2493P , 2SD2493Y , 2SD2494O , 2SD2494P , 2SD2494Y , 2SD2495O , 2SD2495P , 2SD2495Y , 2SC828 , 2SD25 , 2SD250 , 2SD251 , 2SD254 , 2SD255 , 2SD2557 , 2SD2558 , 2SD256 .

History: GT109J | BCW76 | NST45011MW6T1G | BCX5616Q | GT335G

 

 
Back to Top

 


 
.