Биполярный транзистор 2SD287A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD287A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO3
2SD287A Datasheet (PDF)
2sd288.pdf
2SD288 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORLOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER* TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC)ACharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 8 0 V Collector-Emitter Voltage VCEO 55 V Emitter-Base voltage VEBO 5 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Dissipation (Tc=25oC) PC 20 Wo Junction Temperature Tj 150 Co C Storage Temperat
2sd289.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD289DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 55V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 25W(Max)@ T = 25C CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power regulator, low frequency high poweramplifier applications.ABSOLU
2sd288.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD288DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 55V(Min)(BR)CEOCollector Power Dissipation-: P = 25W(Max)@ T = 25C CAPPLICATIONSDesigned for power regulator, low frequency high poweramplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 80 VCBOV Collector-E
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , TIP31C , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
