2SD289 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SD289
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для 2SD289
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD289 даташит
2sd289.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD289 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 55V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 25W(Max)@ T = 25 C C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power regulator, low frequency high power amplifier applications. ABSOLU
2sd288.pdf
2SD288 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER * TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25oC) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 8 0 V Collector-Emitter Voltage VCEO 55 V Emitter-Base voltage VEBO 5 V Collector Current (DC) IC 3 A Collector Dissipation (Tc=25oC) PC 20 W o Junction Temperature Tj 150 C o C Storage Temperat
2sd288.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD288 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 55V(Min) (BR)CEO Collector Power Dissipation- P = 25W(Max)@ T = 25 C C APPLICATIONS Designed for power regulator, low frequency high power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 80 V CBO V Collector-E
Другие транзисторы: 2SD287, 2SD287A, 2SD287B, 2SD287C, 2SD288, 2SD288O, 2SD288R, 2SD288Y, S8550, 2SD29, 2SD290, 2SD291, 2SD291A, 2SD292, 2SD292A, 2SD293, 2SD294
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor | rfp50n06 | bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117

