2SD330E - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

2SD330E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2SD330E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 140 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD330E

 

2SD330E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:33K  sanyo
 2sd330.pdf pdf_icon

2SD330E

Ordering number 397E PNP/NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistors 2SB514/2SD330 50V/2A Low-Frequency Power Amplifier Applications Features Package Dimensions Especially suited for use in output stage of 10W AF unit mm Power amplifier. 2010C Complementary pair with the 2SB514 and 2SD313. [2SB514/2SD330] JEDEC TO-220AB 1 Base ( ) 2SB514 EIAJ SC-46 2 Collector

 8.2. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd330.pdf pdf_icon

2SD330E

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD330 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 2.0A CE(sat) C Complement to Type 2SB514 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially suited for use in output stage of 10W AF power ampl

 9.1. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd331.pdf pdf_icon

2SD330E

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD331 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 1.0V(Max) @I = 2.0A CE(sat) C Complement to Type 2SB515 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Especially suited for use in output sta

 9.2. Size:197K  inchange semiconductor
 2sd339.pdf pdf_icon

2SD330E

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD339 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 90V(Min) (BR) CEO Excellent Safe Operating Area Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 7.5A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpos

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD326 , 2SD327 , 2SD328 , 2SD329 , 2SD33 , 2SD330 , 2SD330C , 2SD330D , BD333 , 2SD330F , 2SD331 , 2SD331C , 2SD331D , 2SD331E , 2SD331F , 2SD332 , 2SD334 .

 

 
Back to Top

 


 
.