2SD371 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD371  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD371

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD371 даташит

 ..1. Size:42K  no
 2sd371.pdf pdf_icon

2SD371

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd371.pdf pdf_icon

2SD371

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD371 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 50W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB531 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 9.1. Size:185K  inchange semiconductor
 2sd375.pdf pdf_icon

2SD371

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD375 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters and switching applications. ABSOLUTE MAXIMU

Другие транзисторы: 2SD365A, 2SD366, 2SD366A, 2SD367, 2SD368, 2SD369, 2SD37, 2SD370, 2SB817, 2SD372, 2SD373, 2SD373A, 2SD374, 2SD375, 2SD376, 2SD376A, 2SD377