2SD373A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SD373A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SD373A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD373A даташит

 9.1. Size:42K  no
 2sd371.pdf pdf_icon

2SD373A

 9.2. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd371.pdf pdf_icon

2SD373A

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD371 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 50W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB531 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO

 9.3. Size:185K  inchange semiconductor
 2sd375.pdf pdf_icon

2SD373A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD375 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters and switching applications. ABSOLUTE MAXIMU

Другие транзисторы: 2SD367, 2SD368, 2SD369, 2SD37, 2SD370, 2SD371, 2SD372, 2SD373, D880, 2SD374, 2SD375, 2SD376, 2SD376A, 2SD377, 2SD378, 2SD379, 2SD38