Биполярный транзистор 2SD376 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD376
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO3
2SD376 Datasheet (PDF)
2sd371.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD371DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 80V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 50W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB531Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO
2sd375.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD375DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V (Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in clocked voltage converters andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMU
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: BD178 | KTD1003B | KSC3158R
History: BD178 | KTD1003B | KSC3158R
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050