2SD377. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD377
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2SD377
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD377 даташит
2sd371.pdf
isc Silicon NPN Power Transistors 2SD371 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO High Power Dissipation- P = 50W(Max)@T =25 C C Complement to Type 2SB531 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBO
2sd375.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD375 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 100V (Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in clocked voltage converters and switching applications. ABSOLUTE MAXIMU
Другие транзисторы: 2SD371, 2SD372, 2SD373, 2SD373A, 2SD374, 2SD375, 2SD376, 2SD376A, 2SC5198, 2SD378, 2SD379, 2SD38, 2SD380, 2SD380A, 2SD381, 2SD382, 2SD383
History: FMG13 | 2SC1507 | FMG6A | FMG1A | H5609 | FMMT3642
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d2390 transistor | 2n5087 equivalent | tip147 datasheet | 2n4124 | mj15022 | toshiba c5198 | irf520n datasheet | tip107

