2SD419. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD419

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 700

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD419

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD419 даташит

 9.1. Size:36K  sanyo
 2sd416.pdf pdf_icon

2SD419

 9.2. Size:134K  nec
 2sb548 2sb549 2sd414 2sd415.pdf pdf_icon

2SD419

DATA SHEET SILICON POWER TRANSISTOR 2SB548, 549/2SD414, 415 PNP/NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS FEATURES PACKAGE DRAWING (UNIT mm) Ideal for audio amplifier drivers with 30 W to 50 W output High voltage Available for small mount spaces due to small and thin package Easy to be attached to radiators ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25

 9.3. Size:49K  no
 2sd414.pdf pdf_icon

2SD419

 9.4. Size:192K  inchange semiconductor
 2sd414.pdf pdf_icon

2SD419

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD414 DESCRIPTION With TO-126packaging Excellent linearity of h FE Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Complementary to 2SB548 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Relay drivers, high-speed inverters , converters and Other general high current swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD411, 2SD412, 2SD413, 2SD414, 2SD415, 2SD416, 2SD417, 2SD418, TIP42C, 2SD420, 2SD421, 2SD422, 2SD423, 2SD424, 2SD425, 2SD426, 2SD427