Справочник транзисторов. 2SD422

 

Биполярный транзистор 2SD422 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD422
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO66
 

 Аналог (замена) для 2SD422

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD422 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd427.pdf pdf_icon

2SD422

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD427DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 80W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB557Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for 50W high-fidelity audio f

 9.2. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd425.pdf pdf_icon

2SD422

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD425DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 140V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB555Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

 9.3. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd425 2sd426.pdf pdf_icon

2SD422

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD425 2SD426 DESCRIPTION With TO-3 package Complement to type 2SB555/556 High power dissipation APPLICATIONS Power amplifier applications Recommended for high-power high-fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplifi

 9.4. Size:208K  inchange semiconductor
 2sd426.pdf pdf_icon

2SD422

isc Silicon NPN Power Transistors 2SD426DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 120V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 100W(Max)@T =25C CComplement to Type 2SB556Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.Recommended for high-fidelity audio freq

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD414 , 2SD415 , 2SD416 , 2SD417 , 2SD418 , 2SD419 , 2SD420 , 2SD421 , BC557 , 2SD423 , 2SD424 , 2SD425 , 2SD426 , 2SD427 , 2SD427S , 2SD428 , 2SD429 .

History: 2N4099 | 2N517

 

 
Back to Top

 


 
.