Справочник транзисторов. 2SD470B

 

Биполярный транзистор 2SD470B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD470B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 130 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1.5
   Корпус транзистора: TO66
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD470B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:186K  inchange semiconductor
2sd470.pdfpdf_icon

2SD470B

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD470DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min.)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits of color TVreceivers.ABSOLUTE MAXIMUM

 9.1. Size:86K  1
2sd474k.pdfpdf_icon

2SD470B

 9.2. Size:173K  nec
2sd471.pdfpdf_icon

2SD470B

 9.3. Size:32K  hitachi
2sd476.pdfpdf_icon

2SD470B

2SD476(K), 2SD476A(K)Silicon NPN Triple DiffusedApplicationPower switching complementary pair with 2SB566(K) and 2SB566A(K)OutlineTO-220AB1. Base2. Collector(Flange)13. Emitter23Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)RatingsItem Symbol 2SD476(K) 2SD476A(K) UnitCollector to base voltage VCBO 70 70 VCollector to emitter voltage VCEO 50 60 VEmitter to base voltage

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PUMD9 | 2SC523R | DMBT3906 | 2SD2121LC | BC266B | BC847AMTF | 2SD1195

 

 
Back to Top

 


 
.