2SD5075. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD5075

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для 2SD5075

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD5075 даташит

 ..1. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd5075.pdf pdf_icon

2SD5075

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5075 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

 0.1. Size:116K  inchange semiconductor
 2sd5075t.pdf pdf_icon

2SD5075

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD5075T DESCRIPTION With TO-220C package High breakdown voltage High speed switching APPLICATIONS Color TV horizontal output applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collector-base vo

 8.1. Size:189K  inchange semiconductor
 2sd5072.pdf pdf_icon

2SD5075

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5072 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Built-in Damper Diode Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in horizontal deflection circuits of colour TV receivers. ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 8.2. Size:188K  inchange semiconductor
 2sd5074.pdf pdf_icon

2SD5075

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistors 2SD5074 DESCRIPTION High Breakdown Voltage- VCBO= 1500V (Min) High Switching Speed High Reliability Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for color TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD5041O, 2SD5041P, 2SD5041Q, 2SD505, 2SD506, 2SD507, 2SD5071, 2SD5074, A1941, 2SD5076, 2SD508, 2SD509, 2SD51, 2SD510, 2SD511, 2SD512, 2SD513