2SD519. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD519

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD519

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD519 даташит

 9.1. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd517.pdf pdf_icon

2SD519

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD517 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы: 2SD511, 2SD512, 2SD513, 2SD514, 2SD515, 2SD516, 2SD517, 2SD518, BD335, 2SD51A, 2SD52, 2SD520, 2SD521, 2SD522, 2SD523, 2SD524, 2SD525