2SD526Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD526Y

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SD526Y

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD526Y даташит

 8.1. Size:186K  toshiba
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526Y

 8.2. Size:118K  mospec
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526Y

A A A

 8.3. Size:531K  semtech
 st2sd526.pdf pdf_icon

2SD526Y

ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit 80 V Collector Base Voltage VCBO 80 V Collector Emitter Voltage VCEO 5 V Emitter Base Voltage VEBO 4 A Collector Current IC 0.4 A Base Current IB O Power Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 W O Junctio

 8.4. Size:167K  inchange semiconductor
 2sd526.pdf pdf_icon

2SD526Y

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 20 25W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD524, 2SD525, 2SD525O, 2SD525R, 2SD525Y, 2SD526, 2SD526O, 2SD526R, 8550, 2SD528, 2SD528H, 2SD529, 2SD52A, 2SD53, 2SD530, 2SD531, 2SD531-1