Справочник транзисторов. 2SD526Y

 

Биполярный транзистор 2SD526Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD526Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD526Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD526Y Datasheet (PDF)

 8.1. Size:186K  toshiba
2sd526.pdfpdf_icon

2SD526Y

 8.2. Size:118K  mospec
2sd526.pdfpdf_icon

2SD526Y

AAA

 8.3. Size:531K  semtech
st2sd526.pdfpdf_icon

2SD526Y

ST 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications TO-220 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit80 VCollector Base Voltage VCBO 80 VCollector Emitter Voltage VCEO 5 VEmitter Base Voltage VEBO 4 ACollector Current IC 0.4 ABase Current IB OPower Dissipation (Tc = 25 C) PC 30 WOJunctio

 8.4. Size:167K  inchange semiconductor
2sd526.pdfpdf_icon

2SD526Y

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD526 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SB596 Good linearity of hFE APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 2025W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 E

Другие транзисторы... 2SD524 , 2SD525 , 2SD525O , 2SD525R , 2SD525Y , 2SD526 , 2SD526O , 2SD526R , D209L , 2SD528 , 2SD528H , 2SD529 , 2SD52A , 2SD53 , 2SD530 , 2SD531 , 2SD531-1 .

History: 2SB1124 | BUD87 | TMPT918 | KA4F4M | 2SC2785 | DTA208 | ECG2302

 

 
Back to Top

 


 
.