Справочник транзисторов. 2SD537

 

Биполярный транзистор 2SD537 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD537
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 13 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO3
 

 Аналог (замена) для 2SD537

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD537 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:199K  inchange semiconductor
 2sd535.pdf pdf_icon

2SD537

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD535DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 120V(Min)CEO(SUS)Excellent Safe Operating AreaHigh Current CapabilityGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed, high current, high power application

 9.2. Size:196K  inchange semiconductor
 2sd534.pdf pdf_icon

2SD537

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD534DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 110V(Min)CEO(SUS)Excellent Safe Operating AreaHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers , high-speed inverters,converters,andother general high-cur

 9.3. Size:195K  inchange semiconductor
 2sd536.pdf pdf_icon

2SD537

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD536DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 200V(Min)CEO(SUS)Excellent Safe Operating AreaHigh Current CapabilityLow collector saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsDC-DC converters.General

 9.4. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd531.pdf pdf_icon

2SD537

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD531DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 90V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0ACE(sat) CWith TO-220C PackageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power ampli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD530 , 2SD531 , 2SD531-1 , 2SD532 , 2SD533 , 2SD534 , 2SD535 , 2SD536 , 2SC2383Y , 2SD538 , 2SD538A , 2SD539 , 2SD539A , 2SD53A , 2SD54 , 2SD540 , 2SD541 .

History: 2SC2786LF | GES6011 | ECG228A

 

 
Back to Top

 


 
.