Справочник транзисторов. 2SD540

 

Биполярный транзистор 2SD540 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD540
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 12 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO3A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD540 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:45K  sanyo
 2sd545.pdf pdf_icon

2SD540

 9.2. Size:204K  inchange semiconductor
 2sd546.pdf pdf_icon

2SD540

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD546DESCRIPTIONContinuous Collector Current-I = 1ACPower Dissipation-P =30W @T = 25D CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operation.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 800 VCBOV Collector-Emitter Voltage 500 VCEOV Emitter-Base Voltage

 9.3. Size:201K  inchange semiconductor
 2sd544.pdf pdf_icon

2SD540

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD544DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 90V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max.) @ I = 4.0ACE(sat) CWith TO-220C PackageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power ampli

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: BUS24C | STN3906 | SMMBTA92 | 2N363 | FXT553SM | AC404 | ST4044

 

 
Back to Top

 


 
.