2SD555. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD555
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для 2SD555
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD555 даташит
2sd555.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD555 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 200V (Min) (BR)CEO High Power Dissipation Complement to Type 2SB600 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed, high current and high power applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PAR
2sd557.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD557 DESCRIPTION High Current Capability Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 140V(Min.) (BR)CEO High Collector Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high power audio amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER
2sd553.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor 2SD553 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 50V(Min) (BR)CEO Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 0.4V(Max) @I = 4A CE(sat) C Complement to Type 2SB553 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS High current switching applications. Power amplifier applicati
Другие транзисторы: 2SD55, 2SD550, 2SD551, 2SD552, 2SD553, 2SD553O, 2SD553Y, 2SD554, 2SC5200, 2SD556, 2SD557, 2SD558, 2SD55A, 2SD56, 2SD560, 2SD560O, 2SD560R
History: BD712
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc381 | datasheet mosfet | 2sk2586 | 13005 transistor | ecg123a | irfp360 | bc108 equivalent | irfp4568

