Справочник транзисторов. 2SD56

 

Биполярный транзистор 2SD56 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD56
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 220 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 18 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD56

 

 

2SD56 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:90K  nec
2sd560.pdf

2SD56
2SD56

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SD560NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHINGThe 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATIONfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor isOrdering Name Packageideal for direct driving from the IC output of devices such

 0.2. Size:209K  fuji
2sd560.pdf

2SD56
2SD56

 0.3. Size:213K  inchange semiconductor
2sd568.pdf

2SD56
2SD56

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD568DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = 7ACLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SB707Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplifiers and low-speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM R

 0.4. Size:209K  inchange semiconductor
2sd560.pdf

2SD56
2SD56

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD560DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 2000(Min) @I = 3.0AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type 2SB601Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifiers and l

 0.5. Size:213K  inchange semiconductor
2sd569.pdf

2SD56
2SD56

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD569DESCRIPTIONHigh Collector Current: I = 7ACLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SB708Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplifiers and low-speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top