Справочник транзисторов. 2SD560Y

 

Биполярный транзистор 2SD560Y Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD560Y
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
   Корпус транзистора: TO220
 

 Аналог (замена) для 2SD560Y

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD560Y Datasheet (PDF)

 8.1. Size:90K  nec
 2sd560.pdf pdf_icon

2SD560Y

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SD560NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHINGThe 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATIONfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor isOrdering Name Packageideal for direct driving from the IC output of devices such

 8.2. Size:209K  fuji
 2sd560.pdf pdf_icon

2SD560Y

 8.3. Size:209K  inchange semiconductor
 2sd560.pdf pdf_icon

2SD560Y

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD560DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 2000(Min) @I = 3.0AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type 2SB601Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifiers and l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD556 , 2SD557 , 2SD558 , 2SD55A , 2SD56 , 2SD560 , 2SD560O , 2SD560R , C5198 , 2SD565 , 2SD568 , 2SD568O , 2SD568R , 2SD568Y , 2SD569 , 2SD569O , 2SD569R .

History: 2SB638H | BD255 | SML4016 | BUH315 | BC850B-AU | 2SC1983 | NSBA123EDXV6

 

 
Back to Top

 


 
.