Биполярный транзистор 2SD560Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD560Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: TO220
2SD560Y Datasheet (PDF)
2sd560.pdf
DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SD560NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHINGThe 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATIONfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor isOrdering Name Packageideal for direct driving from the IC output of devices such
2sd560.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD560DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 2000(Min) @I = 3.0AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type 2SB601Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifiers and l
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: BCW13L
History: BCW13L
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050