Справочник транзисторов. 2SD565

 

Биполярный транзистор 2SD565 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD565
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD565

 

 

2SD565 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:90K  nec
2sd560.pdf

2SD565
2SD565

DATA SHEETSILICON POWER TRANSISTOR2SD560NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (DARLINGTON CONNECTION)FOR LOW-FREQUENCY POWER AMPLIFIERS AND LOW-SPEED SWITCHINGThe 2SD560 is a mold power transistor developed for low- ORDERING INFORMATIONfrequency power amplifiers and low-speed switching. This transistor isOrdering Name Packageideal for direct driving from the IC output of devices such

 9.2. Size:209K  fuji
2sd560.pdf

2SD565
2SD565

 9.3. Size:213K  inchange semiconductor
2sd568.pdf

2SD565
2SD565

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD568DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = 7ACLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SB707Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplifiers and low-speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.4. Size:209K  inchange semiconductor
2sd560.pdf

2SD565
2SD565

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD560DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain: h = 2000(Min) @I = 3.0AFE CLow Saturation VoltageComplement to Type 2SB601Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low frequency power amplifiers and l

 9.5. Size:213K  inchange semiconductor
2sd569.pdf

2SD565
2SD565

isc Silicon NPN Power Transistor 2SD569DESCRIPTIONHigh Collector Current: I = 7ACLow Collector Saturation Voltage: V = 0.5V(Max)@I = 5ACE(sat) CComplement to Type 2SB708Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low-frequency power amplifiers and low-speedswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

 

 
Back to Top