2SD575L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD575L

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 2

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SD575L

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD575L даташит

 8.1. Size:20K  no
 2sd575.pdf pdf_icon

2SD575L

 9.1. Size:169K  nec
 2sd571.pdf pdf_icon

2SD575L

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
 2sd570.pdf pdf_icon

2SD575L

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD570 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 70V(Min.) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage V = 0.6V(Max.)@I = 2A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.3. Size:181K  inchange semiconductor
 2sd577.pdf pdf_icon

2SD575L

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SD577 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 700V(Min) CEO(SUS) High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in large screen color deflection circuits . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD57, 2SD570, 2SD571, 2SD572, 2SD573, 2SD574, 2SD574A, 2SD575, TIP31C, 2SD576, 2SD577, 2SD578, 2SD578A, 2SD579, 2SD579A, 2SD58, 2SD580