Справочник транзисторов. 2SD575L

 

Биполярный транзистор 2SD575L Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD575L
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SD575L Datasheet (PDF)

 8.1. Size:20K  no
2sd575.pdfpdf_icon

2SD575L

 9.1. Size:169K  nec
2sd571.pdfpdf_icon

2SD575L

 9.2. Size:217K  inchange semiconductor
2sd570.pdfpdf_icon

2SD575L

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD570DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage: V = 0.6V(Max.)@I = 2ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.3. Size:181K  inchange semiconductor
2sd577.pdfpdf_icon

2SD575L

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD577DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits .ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MMBT2907LT1 | 2SD2046 | 3DK32 | BCW79-16 | 2SA1291R | BCX79IX | BDX13-5

 

 
Back to Top

 


 
.