Справочник транзисторов. 2SD579

 

Биполярный транзистор 2SD579 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD579
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SD579

 

 

2SD579 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:169K  nec
2sd571.pdf

2SD579
2SD579

 9.2. Size:20K  no
2sd575.pdf

2SD579

 9.3. Size:217K  inchange semiconductor
2sd570.pdf

2SD579
2SD579

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD570DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 70V(Min.)(BR)CEOLow Collector Saturation Voltage: V = 0.6V(Max.)@I = 2ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 9.4. Size:181K  inchange semiconductor
2sd577.pdf

2SD579
2SD579

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SD577DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 700V(Min)CEO(SUS)High Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in large screen color deflection circuits .ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25

 9.5. Size:189K  inchange semiconductor
2sd5702.pdf

2SD579
2SD579

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SD5702DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: VCBO= 1500V (Min)High Switching SpeedHigh ReliabilityBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in horizontal deflection circuits ofcolour TV receivers.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 9.6. Size:188K  inchange semiconductor
2sd5703.pdf

2SD579
2SD579

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistors 2SD5703DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: VCBO= 1500V (Min)High Switching SpeedHigh ReliabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 

Back to Top